|
การพัฒนาทรานส์ซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน เพื่อการตรวจวิเคราะห์ไมโครอัลบูมิน |
|---|---|
| รหัสดีโอไอ | |
| Title | การพัฒนาทรานส์ซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน เพื่อการตรวจวิเคราะห์ไมโครอัลบูมิน |
| Creator | วันวิสาข์ พินิจวงษ์ |
| Contributor | วันชัย ไพจิตโรจนา, ที่ปรึกษา |
| Publisher | มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ |
| Publication Year | 2560 |
| Keyword | ทรานส์ซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน, การเชื่อมขวาง, ดูดซับ, ไมโครอัลบูมิน, Ion sensitive field effect transistor, Adsorption method, Cross-linking method, Microalbumin |
| Abstract | การพัฒนาทรานส์ซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน (ISFET) เพื่อการตรวจวิเคราะห์ไมโครอัลบูมินในระดับไมโครกรัม โดยการทดลองได้นำแอนติบอดีที่จำเพาะต่ออัลบูมินด้วยวิธีการตรึงแบบ ดูดซับ (adsorption) และ การเชื่อมขวาง หรือการใช้สารเคมี (cross-linking) ซึ่งทำการตรวจวัดการเปลี่ยนแปลงของประจุไฟฟ้าที่เกิดขึ้นของปฏิกิริยาระหว่างแอนติบอดีและแอนติเจนบนพื้นผิวของ ISFET ก่อนและหลังเกิดปฏิกิริยาเปลี่ยนแปลงไป การทดลองนี้จะใช้วงจรที่มีค่าคงที่ของกระแสอยู่ที่ 25 ไมโครแอมแปร์ และ 80 ไมโครแอมแปร์ โดยผลการทดลองที่ได้ คือ 1. การปรับปรุงพื้นผิวทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน (ISFET) ด้วยวิธี Cross-linking method โดยใช้วงจรที่มีค่ากระแส 25 ไมโครแอมแปร์ ผลการทดลองสรุปได้ว่าสามารถตรวจวิเคราะห์อัลบูมินที่ความเข้ม 0, 10, 50, 100, 500 ไมโครกรัมต่อมิลลิกรัม และค่าความต่างศักย์ 1±0, 4±0.58, 6±0, 7±1.12 และ 10.33±0.58 มิลลิโวลต์ ตามลำดับ 2. การปรับปรุงพื้นผิวทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน (ISFET) ด้วยวิธี Physical adsorbtion method โดยใช้วงจรที่มีค่ากระแส 25 ไมโครแอมแปร์ 1.06 + 0.78, 2.8 + 0.67, 4.0 + 0.9, 5.0 + 0.9 และ 8.1 + 1.9 มิลลิโวลต์ ตามลำดับ และ การปรับปรุงพื้นผิวทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าชนิดไวต่อไอออน (ISFET) ด้วยวิธี Physical Absorbtion method โดยเปลี่ยนแปลงกระแสของวงจรต่างๆดังนี้ 30, 40, 60, 80 และ 100 µA ซึ่งค่าความต่างศักย์ที่วัดได้คือ 11.27±2.05, 16.27±0.35, 18.07±1.25, 20.5±0.56 และ 25.4±1.48 ตามลำดับ |
