|
สมบัติการป้องกันการกัดกร่อนของเหล็กกล้าไร้สนิมเคลือบด้วยอะลูมิเนียมไนไตรด์โดยแมกนีตรอนสปัตเตอริง |
|---|---|
| รหัสดีโอไอ | |
| Title | สมบัติการป้องกันการกัดกร่อนของเหล็กกล้าไร้สนิมเคลือบด้วยอะลูมิเนียมไนไตรด์โดยแมกนีตรอนสปัตเตอริง |
| Creator | เชาวลิต สีโสภา |
| Contributor | เก็จวลี พฤกษาทร, โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์ |
| Publisher | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Publication Year | 2554 |
| Keyword | เหล็กกล้าไร้สนิม -- การกัดกร่อน, การกัดกร่อนและการป้องกันการกัดกร่อน, อะลูมิเนียมไนไตรด์, แมกนีตรอน, สปัตเตอริง (ฟิสิกส์), เซลล์เชื้อเพลิงชนิดเมมเบรนแลกเปลี่ยนโปรตอน, เซลล์เชื้อเพลิง -- ขั้วไฟฟ้า |
| Abstract | งานวิจัยนี้ศึกษาผลขององค์ประกอบ ความหนา และกำลังไฟฟ้าที่ใช้ในกระบวนการเคลือบฟิล์มบางอะลูมิเนียมไนไตรด์ที่มีผลต่อสมบัติความต้านทานการกัดกร่อนและสมบัติเชิงไฟฟ้าของแผ่นเหล็กกล้าไร้สนิมเคลือบด้วยฟิล์มบางอะลูมิเนียมไนไตรด์ โดยการเปลี่ยนค่าความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน ตั้งแต่ร้อยละ 0-50 ของของแก๊สทั้งหมดที่เข้าสู่ภายในภาชนะสุญญากาศ (Vacuum chamber) หรือมีค่าตั้งแต่ 0 – 2.8 x10-3 มิลลิบาร์ โครงสร้างผลึก สมบัติเชิงไฟฟ้า และสมบัติความต้านทานการกัดกร่อนของฟิล์มบางทดสอบโดยการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ วัดความต้านทานเชิงสัมผัส และวัดอัตราการกัดกร่อนด้วยวิธีการเคมีไฟฟ้าในกรดซัลฟิวริกที่มีความเข้มข้น 0.1 โมลต่อลิตร ผลการทดลองพบว่า สามารถเคลือบฟิล์มบางอะลูมิเนียมไนไตรด์ Wurtzite (hexagonal) บนแผ่นรองรับเหล็กกล้าไรสนิมได้ ค่าความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนที่ใช้ในกระบวนการเคลือบฟิล์มบางร้อยละ 5 มีความเหมาะสมมากที่สุดสำหรับใช้เป็นเงื่อนไขในการเคลือบฟิล์มบางอะลูมิเนียมไนไตรด์ เนื่องจากมีสมบัติความต้านทานเชิงสัมผัสและอัตราการกัดกร่อนต่ำ ส่วนความหนาของฟิล์มบางเพิ่มตามการเพิ่มเวลาที่ใช้ในการเคลือบ ตั้งแต่ 15-60 นาที พบว่า ฟิล์มบางที่เคลือบด้วยเวลา 60 นาที มีความหนา 18.05 ไมโครเมตร มีความต้านทานเชิงสัมผัสและอัตราการกัดกร่อนต่ำที่สุดคือ 5.8 มิลลิโอห์มตารางเซนติเมตร และ 8.2 ไมโครแอมแปร์ต่อตารางเซนติเมตร ตามลำดับ และฟิล์มบางที่เคลือบด้วยกำลังไฟฟ้า 200 วัตต์ ที่ความหนาประมาณ 10 ไมโครเมตร มีความต้านทานเชิงสัมผัสและอัตราการกัดกร่อนต่ำที่สุดคือ 3 มิลลิโอห์มตารางเซนติเมตร และ 12.9 ไมโครแอมแปร์ต่อตารางเซนติเมตร ตามลำดับ |
| URL Website | cuir.car.chula.ac.th |
